Вы можете уточнить информацию о товаре воспользовавшись формой "УТОЧНЕНИЕ ПО ПОЗИЦИИ".
Для этого нажмите на иконку конверта и заполните форму.
 
Так же Вы можете отправить Ваш запрос на i@upel.ru.

Наши менеджеры обязательно свяжутся с Вами!

Пожалуйста, заполните следующую форму:

* - Поля обязательные для заполнения.

Корзина 0
+7 (495) 21-52-647
Обратная связь
Для получения более точной и более подробной информации перейдите в карточку позиции - нажмите на наименование.
Для получения более точной и более подробной информации перейдите в карточку позиции - нажмите на наименование.
*Все цены на сайте указаны с учетом НДС

Силовые полевые транзисторы STMicroelectronics

Компания STMicroelectronics является одним из мировых лидеров в разработке и производстве полупроводниковых решений во многих областях микроэлектроники. Линейка продукции компании содержит как простейшие полупроводниковые дискретные компоненты, так и сложные высокопроизводительные сигнальные процессоры.

На сегодняшний день трудно себе представить область электроники, которая могла бы обойтись без полевых транзисторов. Они применяются в источниках питания различной мощности, зарядных устройствах, в приборах управления и коммутации, осветительной технике и т. д. Полевые транзисторы характеризуются тремя основными параметрами:

сопротивлением перехода сток-исток в открытом состоянии (RDS,on), максимальным напряжением сток-исток (VDSSmax) и временем восстановления (быстродействием).

Основу производства силовых полевых транзисторов у компании STM составляют технологии:

  • STripFET для транзисторов, рассчитанных на напряжения 20…300 В;
  • SuperMESHдля напряжений 300…1200 В;
  • MDmesh для напряжений 300…650 В;
  • FDmesh для напряжений 500…600 В;
  • PowerMESH для напряжений до 1500 В.

Каждая из этих технологий предусматривает особенности применения транзисторов своей категории для получения наилучших основных параметров. Рассмотрим подробно одну из новых технологий создания низковольтных полевых транзисторов STripFET V.

Технология STripFET V (серия H5) и STripFET VI DeepGate (серия H6) – это пятое поколение стратегии построения полевых транзисторов, призванное обеспечить потребность современной компьютерной техники и средств телекоммуникаций в производительности и эффективности преобразователей напряжения в режимах переключения. Основными чертами этого поколения являются напряжение пробоя более 25…30 В, высокая стойкость к лавинообразному пробою, низкое сопротивление открытого перехода и высокое быстродействие.

В общем и целом технология STripFET V вбирает в себя лучшие характеристики от STripFET III и STripFET IV для получения лучших значений RDS,on и быстродействия за счёт изменения структуры стока, двойной толщины оксидного покрытия затвора, области обогащения J#FET и вертикальных контактов (канавок).

Прием заказов по адресу

i@upel.ru

Контактный телефон

+7 495 21-52-647

Ваш код клиента: EM-15990
Есть файл с заявкой?
Прикрепляй сюда
Новости
02.12.2015 Конденсаторы: срок службы, надежность и материал Даже сейчас далеко не каждое устройство можно назвать 100% надежным, несмотря на заверения производителя. Полная защита от случайных негативных воздействий или сбоев – скорее исключения из правил, чем общая практика. Читать дальше
02.12.2015 Toshiba выпускают новые биполярные микротранзисторы Специалистам Toshiba удалось сократить размер пакетных решений в выходных транзисторных каскадах аудиосистем за счет транзистора с новым габаритным решением, сообщается в новостной ленте компании. Читать дальше