Компании Intel и Micron Technology предлагают устройства flash-памяти высокой плотности с технологией 3D NAND

Предполагаемой областью применения являются не мобильные телефоны, а твердотельные устройства памяти для компьютеров.

Технология называется трехмерной (3D) потому что слои ячеек хранения данных располагаются вертикально, что обеспечивает повышенную емкость при тех же размерах.

Брайн Ширли (Brian Shirley) вице-президент по технологиям устройств памяти компании Micron уверен, что 3-х мерная технология имеет большой потенциал на рынках мобильных устройств и суперкомпьютеров, компьютерных модулей.

"Степень влияния технологии flash-памяти на текущий момент – начиная от смартфонов до суперкомпьютеров на основе flash-памяти – является только малой частью возможностей flash-памяти" – говорит Ширли.

Технология 3D NAND заключается в расположении ячеек flash-памяти вертикально в 32 слоя, что позволяет построить многоуровневую ячейку-кристалл (MLC) емкостью 256 ГБит и трехуровневую ячейку-кристалл (TLC), размер которой соответствует размеру стандартного корпуса микросхем Analog Devices.

Представители компаний заявляют, что данная технология позволит производить твердотельные устройства памяти (SSD) емкостью более 3,5 ТБайт размером с USB-flash-накопитель и более 10 ТБайт размером с 2,5-дюймовый стандартный жесткий диск.

Так как емкость достигается по средством вертикального размещения ячеек, размер каждой отдельной ячейки может быть значительно увеличен, что делает конструкцию TLC подходящей для устройств памяти в компьютерах.

< к списку новостей