Toshiba начинает пробное производство образцов памяти типа 3D NAND или V-NAND с 48 слоями

Компания Toshiba начинает пробное производство образцов памяти типа 3D NAND или V-NAND с 48 слоями и архитектурой, предусматривающей 2 бита на ячейку, для изготовления чипов емкостью 128 ГБит.

Массовое производство будет развернуто компанией Toshiba на строящемся заводе по производству микросхем оперативной памяти Fab2 в городе Йоккаити. Производство памяти типа V-NAND требует применения специализированного оборудования.

Изделие на основе 48 слоев предназначено прежде всего для использования в SSD-памяти. Прибыльность технологии повышается с увеличением количества слоев на кристалле V-NAND.

Единственный производитель памяти типа 3D NAND – фирма Samsung, которая может выпускать только 32-слойные устройства типа 128TLC, т.е. устройства с максимальной плотностью для планарной технологии (19 нм).

По слухам, которые, разумеется, в Samsung никто не подтверждает, прибыльность технологии V-NAND очень низкая.

Компания Intel планирует начать поставки 32-слойных MLC 3D NAND чипов емкостью 256 ГБит во второй половине года.

Компания Micron, которая является партнером Intel по развитию технологии V-NAND, ведет более осторожную политику, так как, опять-таки по слухам, компания не может выйти на уровень прибыльности для 32-слойной технологии.

Тем не менее, компания Micron планирует построить завод по производству микросхем оперативной памяти типа 3D NAND стоимостью 4 млрд. долларов в Сингапуре в 2016 году и запустить его в 2017 для того, чтобы начать отгрузку устройств в 2017-2018 годах.

Так как производство памяти типа V-NAND требует использования специализированного оборудования, этот завод не сможет выпускать другие типы устройств. Если проблемы с прибыльностью технологии будут сохраняться, инвестиции в данный проект будут потрачены впустую.

Проблема планарной технологии NAND заключается в том, что ячейки NAND при уменьшении размера начинают испытывать недостаток электронов. Поведение NAND памяти может быть непредсказуема в случае техпроцесса менее 20 нм и нескольких десятков электронов на ячейке. Применение NAND вертикального типа позволяет увеличить количество электронов до нескольких сотен на ячейку.

Соответственно, перспектива производства 3D NAND при сниженных требованиях по геометрии является весьма привлекательной.

Существует мнение, что при помощи технологии 3D NAND количество слоев может достигать нескольких сотен, что обеспечивает ее прибыльность.

В этом случае существует возможность производства 64-слойной 3D NAND памяти емкостью в 1 ТБит и более в 2016-2017 годах. Однако, если технология V-NAND не оправдает ожиданий, а технология NAND не сможет справиться с проблемой малого количества электронов, технологии ReRaM, MRAM и Memristor могут получить шанс на развитие.

< к списку новостей