Микроконтроллер MSP430 на ядре Cortex-M4F с разрядностью 32 бит
Компания Texas Instruments представила микроконтроллер ARM Cortex-M4F семейства микроконтроллеров MSP430, с разрядностью от 16 до 32 бит со сверхнизким потреблением энергии.
“Встроенный процессор DSP и процессорное ядро с плавающей запятой процессорного ядра ARM Cortex-M4F обеспечивают высокую производительность устройств при решении многообразных задач, таких как нормирование аналогового сигнала и обработка сенсорной информации, сохраняя при этом запас и возможность для дальнейшей модификации", - сказано в презентации.
По словам представителя компании, ядро представляет собой стандартный микроконтроллер на ядре ARM Cortex-M4F с энергосберегающей технологией, которая обеспечивается благодаря специальной конструкции памяти и системе шин и применению встроенного низкоэнергетического 90 нм чипа. При этом возможно функционирование с частотой до 48 МГц при потреблении в активном режиме всего лишь 95 мкА/МГц, а в режиме ожидания - всего лишь 850 нА. Имеет только Flash-память, память FRAM не предполагается.
Большинство периферийных устройств используется совместно с микроконтроллером семейства MSP430, хотя используется новый 14-битный АЦП (13.2 ENOB) на 1 млн. выборок/с, внутренний источник опорного напряжения 375 мкА.
По заверениям компании, у встроенного ресурсосберегающего микропроцессора ULPBench (EEMBC) производительность выше на 167,4% по сравнению с другими процессорами Cortex-M3 и M4F MCU.
А как насчет околопорогового или подпорогового значения Ambiq? Он имеет более низкие показатели.
"Но это не проблема в производстве," - ответил представитель TI, указав, что компания TI сделала подпороговые MCU образцы шесть лет назад, но не смогла обеспечить контроль над изменением параметров процесса.
Энергия приходит через избранный стабилизатор на одном кристалле с другой схемой через линейный стабилизатор LDO или DC/DC-преобразователь. Рабочее напряжение составляет от 1,62 до 3,7 В, поэтому он может быть подключен к литиевым первичным элементам, но не к литий-ионным элементам, максимум которых составляет 4,2 В при полной зарядке.
ОЗУ делится на восемь групп, каждая из которых получает отдельное питание, что позволяет экономить энергию, примерно 30 нА на каждую группу.
Flash-память до 256 кБит, двухполосная, c функцией SRW (simultaneous read and write).
Шифрование данных и кода обеспечивается программной реализацией (AES) 256.
Аппаратные средства поддержки процесса проектирования включают в себя оценочные платы, программное обеспечение для оценки и множество документов.