Компания Cypress Semiconductor начала испытания 4 Мб асинхронных SRAM-модулей памяти с кодом коррекции ошибок (ECC), позволяющих обеспечить более высокий уровень достоверности данных без необходимости дополнительных чипов для исправления ошибок. В результате применения таких модулей конструкция конечного продукта может быть значительно упрощена за счет уменьшения площади монтажа на печатной плате.

Данные модули памяти предназначены для обеспечения достоверности данных в различных промышленных, военных, коммуникационных, медицинских, автомобильных и потребительских сферах применения.

Программные ошибки, вызванные фоновым излучением, могут повредить содержимое энергозависимой памяти, в результате чего произойдет потеря важных данных. Аппаратный ECC-блок в новой асинхронной серии SRAM-модулей памяти способен исправлять все ошибки линейных функций без вмешательства пользователя и, как результат, обеспечить частоту появления ошибок (Soft Error Rate – SER) производительности менее 0,1 фит/Мб (один фит эквивалентен одной ошибке на миллиард часов работы устройства).

Новые модули памяти совместимы по выводам с существующими асинхронными быстрыми и маломощными SRAM-модулями, что позволяет клиентам повысить надежность системы, сохраняя при этом разводку печатной платы. 4 Мб SRAM-модули также включают в себя дополнительный сигнал индикатора ошибки, указывающий на коррекцию одноразрядных ошибок.