Toshiba выпустят первую BiCS Flash в сентябре

Корпорация Toshiba объявила о готовности запустить в производство тестовую партию новых 48-слойных флэш-накопителей в технологии 3D V-NAND. Готовящейся к внедрению технологии усовершенствованного многослойного хранения на основе трехмерных ячеек уже присвоено собственное имя – BiCS Flash.

Последние тестовые и полевые испытания устройства завершились в июле 2015. Но на конечную обкатку продукта уйдет не только август. Вполне возможно, потребуется чуть больше одного месяца. Не подержав готовый продукт в руках, сложно судить насколько он реально хорош.

В открытой продаже у реселлеров и дилеров Toshiba первые BiCS Flash в любом случае появится в сентября 2015. Задержать назначенную дату выхода сможет разве что экстренная ситуация или непредвиденный форс-мажор.

Заявленный формат флэшек первого выпуска всего один, с объемом на 256 GBit. Увы, варьировать его под себя клиент не сможет – ни в большую, ни в меньшую сторону.

В данном случае размер памяти напрямую связан с обновлением технологии V-NAND, на которой базируется BiCS Flash.

Однако, рассчитан новый накопитель именно на массовую аудиторию. Его разрабатывали специально для пользовательских, а не промышленных, нужд. Сферами применения первой BiCS Flash заявлены: домашние SSD-накопители, новейшие модели смартфонов, планшеты последнего поколения, переносные карты памяти. Также, но в меньшей степени, он подойдет и для корпоративных целей: систематизированного хранения офисных данных, архивного управления и учета, центров обработки и обмена информацией.

Как ясно из выходных данных, число слоев в BiCS Flash от Toshiba выросло до 48. Для сравнения последняя флэш-память в технологии V-NAND, вышедшая в 2015 на базе Samsung – 3D V-NAND TLC, имела только 32 слоя. Но уже только это и переход на трехбитную ячейку с двухбитной позволили сократить площадь микросхемы NAND-флэш в два раза без потери для типологии.

Если на каждый мм2 самсунговской 24-слойной V-NAND первого поколения помещалось 0,93 GBit информации, а на 32-слойной V-NAND V2 это значение равнялось уже 1,86 GBit, то BiCS Flash из 48 слоев потенциально превосходит оба предыдущих образца. Обновлены и улучшены также характеристики скорости записи и удаления данных, надежность и устойчивость к частому обновлению информации.

Прототипы BiCS Flash впервые были представлены Toshiba в июне 2007. Для оптимизации накопителя под массовое производство и пользователя потребовалось более 8 лет. Но останавливаться на достигнутом в Toshiba не планируют.

Рынок флэш-памяти, мобильных и домашних накопителей слишком оживлен и динамичен. Для того, чтобы внедрить на него новый продукт, недостаточно просто рассказать о его преимуществах.

Уже в 2016 году компания планирует создать несколько портфельных решений на базе BiCS Flash, которые бы подчеркнули всю перспективность внедрения этой технологии.

В настоящее время компания готовится к массовому производству новых чипов памяти на базе завода Fab2 в Йоккаичи. Строительство завода будет завершено в первой половине 2016 года.

< к списку новостей