DS1230Y-120

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

• Хранение данных в отсутствие внешнего питания – мин. 10 лет.
  
• Данные автоматически защищаются при внезапном отключении питания.  
• Заменяет 32k x 8 энергонезависимых статических блоков RAM, EEPROM или Flash-памяти.  
• Неограниченное количество циклов записи.  
  
• Низкий уровень энергопотребления CMOS.
  
• Время доступа чтения и записи – 70 наносекунд.
  
• Ионно-литиевый источник питания электрически отсоединен для сохранения первоначального состояния устройства до включения питания в первый раз.
• Полный рабочий диапазон ± 10% В неизменяющегося постоянного тока (DS1230Y).
• Возможный рабочий диапазон ± 5% В неизменяющегося постоянного тока (DS1230AB).
• Возможный установленный промышленный диапазон температур от -40 °C до +85 °C.
• 28-контактный DIP-корпус стандарта JEDEC.
  
• Модуль с типом корпуса PowerCap (PCM).
• Модуль для поверхностного монтажа.
• PowerCap обеспечивает подключение сменной защелкивающейся резервной литиевой батареи. 
• Стандартная схема контактов выводов для всей энергонезависимой памяти SRAM.
• Функция съема PowerCap позволяет легко снимать изделие с помощью обычной отвертки.

ОПИСАНИЕ КОНТАКТОВ 

A0-A14 – Адресные входы

DQ0-DQ7 – Данные вход/выход 

CE – Включение чипа 

WE – Включение записи 

OE – Включение выходного сигнала 

VCC – Питание (+5 В) 

GND – Земля, NC – Не подключен

Энергонезависимые модули SRAM DS1230 256k являются 262 и 144 битовыми, полностью статические, с энергонезависимой SRAM-памятью, организованной в 32 768 машинных словах по 8 бит. Каждый модуль NV SRAM оборудован автономным литиевым источник питания и контуром управления, который постоянно контролирует напряжение неизменяющегося постоянного тока на предмет выхода за пределы допустимых значений. В случае выхода напряжения за пределы допустимых значений включается литиевый источник питания и защита от записи с целью предотвращения порчи данных. DIP-корпус DS1230 может использоваться вместо существующего модуля статической RAM 32k x 8, так как он соответствует популярному DIP-стандарту на 28 контактов. DIP-корпус также соответствуют схеме контактов выходов 28256 EEPROM, что позволяет заменять данный вид памяти с повышением производительности. Устройства DS1230 в низкопрофильном модульном корпусе специально спроектированы для установки в системы с поверхностным монтажом. В данном устройстве нет ограничений на количество циклов записи, также не требуются дополнительные цепи для подключения микропроцессора. 

РЕЖИМ ЧТЕНИЯ 

Устройство DS1230 выполняет цикл чтения каждый раз, когда WE (Включение записи) еактивен (верхнее состояние) и CE (Включение чипа) и OE (Включение выходного сигнала) активны (нижнее состояние). Уникальный адрес, заданный 15 адресными входами (A0-A14), определяет к каким из 32 768 байт будет производиться доступ. Достоверные данные будут доступны для восьми выходов данных драйверов в течение tACC (Время доступа) после того, как последний сигнал адресного входа станет стабильным, что обеспечивает еобходимое время доступа для CE и OE (Включение выходного сигнала). Если необходимое время доступа для CE и OE не обеспечивается, то доступ к данным должен определяться на основании позднего сигнала (CE или OE), в этом случае ограничивающим параметром является tCO для CE или tOE для OE, чем доступ по адресу. 

РЕЖИМ ЗАПИСИ 

Устройство DS1230 выполняет цикл записи каждый раз, когда сигналы WE и СЕ являются активными (нижнее состояние) после стабилизации адресных входов. Более поздний задний фронт сигнала CE или WE будет определять начало цикла записи. Цикл записи прекращается ранним передним фронтом CE или WE. Все адресные входы должна быть действительным на протяжении всего цикла записи. WE должен вернуться в высокое состояние для обеспечения минимального времени восстановления (tWR) перед тем, как может быть запущен другой цикл. Управляющий сигнал OE должен быть неактивен (верхний уровень) во время циклов записи, чтобы избежать конфликтов доступа к ресурсам на шине. Тем не менее, если драйверы на выходе включены (CE и OE активны), то WE отключит выходы в tODW от заднего фронта. 

РЕЖИМ СОХРАНЕНИЯ ДАННЫХ 

Устройство DS1230AB полностью работоспособно при напряжении неизменяющегося постоянного тока более 4,75 В и обеспечивает защиту от записи при 4,5 В. Устройство DS1230Y полностью работоспособно при напряжении неизменяющегося постоянного тока более 4,5 В и обеспечивает защиту от записи при 4.25 В. Данные сохраняются при отсутствии неизменяющегося постоянного тока, при этом не требуется наличия дополнительных контуров. Энергонезависимые статические модули  RAM производят постоянный контроль напряжения неизменяющегося постоянного тока. Если напряжение питания снизится, NV SRAM автоматически запустит режим защиты от записи, все входы перейдут в "безразличное" состояние, все выходы перейдут в высокоимпедансное состояние. Если напряжение неизменяющегося постоянного тока снизится чуть ниже 3,0 В, в цепь переключения питания подключится литиевый источник питания для сохранения данных в RAM. При включении питания, когда напряжение напряжение неизменяющегося постоянного тока поднимается чуть выше 3,0 В, цепь переключения питания подключит внешний неизменяющийся постоянный ток к  RAM и отключит литиевый источник питания. Устройство DS1230AB перейдет в режим нормальной работы при напряжении неизменяющегося постоянного тока выше 4,75 В, DS1230Y – выше 4,5 В. 

СОХРАНЕНИЕ ПЕРВОНАЧАЛЬНОГО СОСТОЯНИЯ 

Каждое устройство DS1230 поставляется с отключенным литиевым источником питания, что обеспечивает полную энергетическую емкость. При первом подключении неизменяющегося постоянного тока на уровне выше 4,25 В литиевый источник энергии включается для обеспечения работы резервной системы питания.