SI3407DV-T1-GE3
цена:
Пожалуйста, укажите требуемое количество
НДС: все цены указаны с НДС
Оплата: работаем по безналичному расчету только с юридическими лицами
Доставка: курьерская служба по всей России
Сумма заказа: Принимаем заказы только от 10 000 руб.
Оплата: работаем по безналичному расчету только с юридическими лицами
Доставка: курьерская служба по всей России
Сумма заказа: Принимаем заказы только от 10 000 руб.
Характеристики товара: SI3407DV-T1-GE3
Серия | TrenchFET® |
Производитель | Vishay Siliconix |
FET Тип | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Vgs (ая) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Заряда затвора (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Входная емкость (СНПЧ) @ Vds | 1670pF @ 10V |
Мощность максимальная | 4.2W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Упаковка / блок | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Минимальное количество | 3,000Non-Stock |
Тэги:
Вы можете купить SI3407DV-T1-GE3 по доступной цене и в короткие сроки, отправив заявку на почту i@upel.ru. Специалисты Upel оперативно предоставят вам информацию о SI3407DV-T1-GE3 и учтут все ваши пожелания по способу и сроках доставки товара. Так же вы можете посмотреть другие товары из категории Полевые транзисторы
*Все цены на сайте указаны с учетом НДС