SI3407DV-T1-GE3
Цена:
по запросу
НДС:
все цены указаны с НДС
Оплата:
работаем по безналичному расчету только с юридическими лицами
Доставка:
курьерская служба по всей России
Сумма заказа:
принимаем заказы только от 10 000 руб.
Вы можете купить SI3407DV-T1-GE3 по доступной цене и в короткие сроки, отправив заявку на почту i@upel.ru. Специалисты Upel оперативно предоставят Вам информацию о SI3407DV-T1-GE3 и учтут все Ваши пожелания по способу и сроках доставки товара. Также Вы можете посмотреть другие товары из категории Полевые транзисторы.
Характеристики:
| Серия | TrenchFET® |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| FET Тип | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Vgs (ая) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Заряда затвора (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Входная емкость (СНПЧ) @ Vds | 1670pF @ 10V |
| Мощность максимальная | 4.2W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / блок | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Минимальное количество | 3,000Non-Stock |
