Представители компании Crossbar, специализирующейся на RRAM, заявляют, что они решили основную проблему в коммерциализации RRAM – это явление, которое в Crossbar называют "уход пути тока", оно схоже с утечкой в контурах CMOS, но является в особенности разрушительным для RRAM.

Crossbar в пресс-релизе сообщает о состоявшемся прорыве: "Готовность технологии 3D RRAM для коммерческого производства устройств памяти емкостью в Террабайт и более на одном чипе".

Но насколько далеким от стадии производства является чип емкостью 8 ТБит?

Весьма далеким. Субейн Дубуа (Subain Dubois) сказал мне, что для производства чипа емкостью 1Тб необходимо использование 20-ти нанометрового техпроцесса. Наибольшая емкость чипа, достигнутая Crossbar до настоящего момента – это 1 МБит. Наибольшая емкость чипа, основанного на технологии NAND – 128 ГБит.

Наиболее современный техпроцесс, который использует компания Crossbar для своих IP блоков памяти, – это 40 нанометровый техпроцесс.

Если для производства чипа емкостью 1 Тб требуется 20 нанометровый техпроцесс, то какой техпроцесс потребуется для 8 Тб чипа?

Представители компании Crossbar не дают ответа на этот вопрос. Компания создала прототип ячейки по техпроцессу 8 нм, но информации о том, какую площадь кристалла он занимает, предоставлено не было.

Единственной информацией о размерах устройств, которую предоставила компания Crossbar, является параметр 4S², где S – минимальный размер для техпроцесса. Так как информация о минимальном размере элемента, который можно получить для того или иного техпроцесса на данный момент, обычно не разглашается, кажется, что размер ячейки устройств от Crossbar в любом узле останется неизвестным до тех пор, пока компания не решит его раскрыть. Чего она делать не собирается.

Если предположить, что 14 нанометровый техпроцесс позволит создать чип емкостью 4 Тб, то можно предположить, что при 8 нанометровом техпроцессе будет возможно и производство чипа емкостью 8 Тб.

Тем не менее, представители Crossbar не делают заявлений на этот счет. Технология позволяет располагать ячейки памяти друг над другом, создавая трехмерную конструкцию. Таким образом, увеличивая количество слоев, можно увеличить и плотность устройства. Тем не менее, представители Crossbar не сообщают о том, сколько слоев может потребоваться для достижения определенной плотности.

Также компания не раскрывает информацию о предприятии-изготовителе микросхем оперативной памяти.

Преимуществом технологии Crossbar является то, что устройства могут производиться на предприятиях, которые производят чипы CMOS, они могут быть стерты на разрядном уровне и для их установки в микроконтроллеры ST Microelectronics требуются только две маски.

Компания Crossbar планирует продавать как отдельные чипы, произведенные по ее технологии, так и IP блоки, основанные на ней, для установки в микроконтроллеры.

"Когда мы анонсировали технологию RRAM от Crossbar восемнадцать месяцев назад, мы подготовили решительные планы по продвижению нового поколения устройств памяти с емкостью 1 Террабайт (Тб) на чипе размером с почтовую марку" – говорит исполнительный директор Crossbar Джордж Минасян (George Minassian).