Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| ГТ403Г | |||
| ГТ403Д | |||
| ГТ403Ж | в наличии | > 10 шт. | |
| ГТ404А | |||
| ГТ404В | |||
| ГТ404Д | |||
| ГТ406А | |||
| ГТ612А-4 | |||
| ГТ701А | |||
| ГТ703А | |||
| ГТ703Б | |||
| ГТ705Б | |||
| ГТ705Д | |||
| ГТ806Б | |||
| ГТ806В | |||
| ГТ806Г | |||
| ГТ806Д | |||
| ГТ905А | |||
| ГТ906А | |||
| ГТ906АМ | |||
| ГТС609А | |||
| ГТС609Б | |||
| К1НТ251 | |||
| К1НТ661А | |||
| КЕ707А2 | |||
| КП103Е | |||
| КП103Е1 | |||
| КП103Е1Р | |||
| КП103ЕР | |||
| КП103Ж | |||
| КП103Ж1 | |||
| КП103Ж1Р | |||
| КП103И | |||
| КП103И1 | |||
| КП103ИР | |||
| КП103К | |||
| КП103К1 | |||
| КП103КР | |||
| КП103Л | |||
| КП103Л1 | |||
| КП103ЛР | |||
| КП103М | |||
| КП103МР | |||
| КП201Е-1 | |||
| КП201К-1 | |||
| КП201Л-1 | |||
| КП202Д-1 | |||
| КП202Е-1 | |||
| КП214А9 | |||
| КП301Б | в наличии | < 10 шт. |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.