Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КП301Г | |||
| КП302А1 | |||
| КП302АМ | |||
| КП302Б1 | |||
| КП302БМ | |||
| КП302В | |||
| КП302В1 | |||
| КП302ВМ | |||
| КП302Г1 | |||
| КП302ГМ | |||
| КП303А | |||
| КП303А9 | |||
| КП303Б | в наличии | > 10 шт. | |
| КП303В | |||
| КП303Г | в наличии | > 10 шт. | |
| КП303Г9 | |||
| КП303Д | |||
| КП303Е | в наличии | < 50 шт. | |
| КП303Е9 | |||
| КП303Ж | |||
| КП303И | |||
| КП304А | в наличии | < 10 шт. | |
| КП305Д | |||
| КП305Е | |||
| КП305Ж | |||
| КП305И | |||
| КП306А | |||
| КП306Б | |||
| КП306В | |||
| КП307А | |||
| КП307А1 | |||
| КП307Б | |||
| КП307Б1 | |||
| КП307Г | |||
| КП307Г1 | |||
| КП307Е | |||
| КП307Е1 | |||
| КП307Ж | |||
| КП307Ж1 | |||
| КП308В-1 | |||
| КП308Г-1 | |||
| КП308Г9 | |||
| КП312А | |||
| КП312Б | |||
| КП313А | |||
| КП313Б | |||
| КП313В | |||
| КП323А-2 | |||
| КП323Б-2 | |||
| КП327А |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.