Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
КП307Ж | |||
КП307Ж1 | |||
КП308В-1 | |||
КП308Г-1 | |||
КП308Г9 | |||
КП312А | |||
КП312Б | |||
КП313А | |||
КП313Б | |||
КП313В | |||
КП323А-2 | |||
КП323Б-2 | |||
КП327А | |||
КП327А1 | |||
КП327А>>КП327А1 | |||
КП327Б | в наличии | < 50 шт. | |
КП333А | |||
КП341А | |||
КП350А | |||
КП350Б | |||
КП350В | |||
КП359А | |||
КП361А | |||
КП364А | |||
КП364Б | |||
КП364В | |||
КП364Г | |||
КП364Д | |||
КП364Е | |||
КП364Ж | |||
КП365А | |||
КП370Б | |||
КП371А | |||
КП382Б | |||
КП501А | |||
КП501Б | |||
КП501В | |||
КП502А | |||
КП504А | |||
КП504Б | |||
КП504В | |||
КП504Г | |||
КП505А | в наличии | > 50 шт. | |
КП505Б | |||
КП505В | |||
КП505Г | |||
КП507А | |||
КП508А | |||
КП509А9 | |||
КП509В9 |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.