Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КП946Б | |||
| КП948Б | |||
| КП948В | |||
| КП948Г | |||
| КП956Б | |||
| КП957А | |||
| КП958Б | |||
| КП958Г | |||
| КП959А | |||
| КП959Б | |||
| КП961А | |||
| КПС104А | |||
| КПС104Б | |||
| КПС104В | |||
| КПС104Г | |||
| КПС104Д | |||
| КПС104Е | |||
| КС1НТ251 | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ104А | |||
| КТ117А | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ117Б | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ117В | |||
| КТ117Г | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ118А | |||
| КТ118Б | |||
| КТ118В | |||
| КТ132Б | |||
| КТ133А | |||
| КТ133Б | |||
| КТ201А | |||
| КТ201АМ | |||
| КТ201Б | |||
| КТ201БМ | |||
| КТ201ВМ | |||
| КТ201Г | |||
| КТ201ГМ | |||
| КТ201Д | |||
| КТ201ДМ | |||
| КТ202Б | |||
| КТ203А | |||
| КТ203АМ | |||
| КТ203Б | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ203БМ | |||
| КТ203В | |||
| КТ203ВМ | |||
| КТ203Г | |||
| КТ209А | |||
| КТ209Б | |||
| КТ209В | |||
| КТ209Г |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.