Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КТ3198Е | |||
| КТ321А | |||
| КТ321Б | |||
| КТ321Д | |||
| КТ324Б | |||
| КТ325А | |||
| КТ325Б | |||
| КТ325БМ | |||
| КТ325В | |||
| КТ325ВМ | |||
| КТ326А | |||
| КТ326АМ | |||
| КТ326Б | |||
| КТ326БМ | |||
| КТ337А | |||
| КТ337В | |||
| КТ339А | |||
| КТ339АМ | |||
| КТ342А | |||
| КТ342АМ | |||
| КТ342БМ | |||
| КТ342В | |||
| КТ342ВМ | |||
| КТ343А | |||
| КТ343А-2 | |||
| КТ343Б | |||
| КТ343В | |||
| КТ343Г | |||
| КТ345А | |||
| КТ345Б | |||
| КТ347А | |||
| КТ347Б | |||
| КТ347В | |||
| КТ349А | |||
| КТ349Б | |||
| КТ349В | |||
| КТ350А | |||
| КТ351А | |||
| КТ351Б | |||
| КТ352А | |||
| КТ355А | |||
| КТ355АМ | |||
| КТ360В-1 | |||
| КТ361А | |||
| КТ361А2 | |||
| КТ361Б | |||
| КТ361В | |||
| КТ361В2 | |||
| КТ361Г | в наличии | < 100 шт. | |
| КТ361Г2 |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.