Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КТ630В | |||
| КТ630Г | |||
| КТ630Д | |||
| КТ630Е | |||
| КТ632Б | |||
| КТ632Б1 | |||
| КТ633Б | |||
| КТ634Б-2 | |||
| КТ635Б | |||
| КТ637Б-2 | |||
| КТ638А | |||
| КТ638Б | |||
| КТ639А | |||
| КТ639Б | |||
| КТ639В | |||
| КТ639Г | |||
| КТ639Д | |||
| КТ639Е | |||
| КТ639Ж | |||
| КТ639И | |||
| КТ640А-2 | |||
| КТ643А-2 | |||
| КТ644А | |||
| КТ644Б | |||
| КТ644В | |||
| КТ644Г | |||
| КТ645А | |||
| КТ645Б | |||
| КТ646А | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ646Б | |||
| КТ646В | |||
| КТ653А | |||
| КТ653Б | |||
| КТ659А | |||
| КТ660А | |||
| КТ660Б | |||
| КТ661А | |||
| КТ662А | |||
| КТ664А9 | |||
| КТ664Б9 | |||
| КТ665А9 | |||
| КТ665Б9 | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ668А | |||
| КТ668В | |||
| КТ680А | |||
| КТ681А | |||
| КТ683А | |||
| КТ683Б | |||
| КТ683В | |||
| КТ683Г |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.