Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
КТ8212Б | |||
КТ8213В | |||
КТ8214А | |||
КТ8215А | |||
КТ8215В | |||
КТ8216Г | |||
КТ8216Г1 | |||
КТ8217Г1 | |||
КТ8218Г | |||
КТ8218Г1 | |||
КТ8219Г | |||
КТ8219Г1 | |||
КТ8224А | |||
КТ8224Б | |||
КТ8225А | |||
КТ8228Б | |||
КТ8229А | |||
КТ822В-1 | |||
КТ8230А | |||
КТ8231А1 | |||
КТ8231А2 | |||
КТ8232А1 | |||
КТ8246А | |||
КТ8247А | |||
КТ8247Б | |||
КТ8248А1 | |||
КТ8251А | |||
КТ8254А | |||
КТ8254А1 | |||
КТ825Г | в наличии | > 10 шт. | |
КТ825Д | |||
КТ825Е | |||
КТ8261А | |||
КТ826А | |||
КТ826Б | |||
КТ826В | |||
КТ827А | |||
КТ827Б | |||
КТ827В | |||
КТ8285Б1 | |||
КТ828А | |||
КТ828Б | |||
КТ829А | в наличии | > 10 шт. | |
КТ829А2 | |||
КТ829АН | |||
КТ829АТ | |||
КТ829Б | |||
КТ829В | |||
КТ829Г | |||
КТ829Д |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.