Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КТ8167А | |||
| КТ816А | |||
| КТ816Б | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ816В | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ816Г | в наличии | < 100 шт. | |
| КТ816Г9 | |||
| КТ8170А1 | |||
| КТ8170Б1 | |||
| КТ8176А | |||
| КТ8177Б | |||
| КТ817А | |||
| КТ817Б | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ817В | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ817Г | |||
| КТ817Г9 | |||
| КТ8182А | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ8183А1 | |||
| КТ818А | |||
| КТ818АМ | |||
| КТ818Б | |||
| КТ818БМ | |||
| КТ818В | |||
| КТ818ВМ | |||
| КТ818Г | |||
| КТ818Г1 | |||
| КТ818ГМ | |||
| КТ819А | |||
| КТ819АМ | |||
| КТ819Б | |||
| КТ819БМ | |||
| КТ819В | |||
| КТ819ВМ | |||
| КТ819Г | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ819Г1 | |||
| КТ819ГМ | |||
| КТ820А-1 | |||
| КТ820Б-1 | |||
| КТ820В-1 | |||
| КТ8212Б | |||
| КТ8213В | |||
| КТ8214А | |||
| КТ8215А | |||
| КТ8215В | |||
| КТ8216Г | |||
| КТ8216Г1 | |||
| КТ8217Г1 | |||
| КТ8218Г | |||
| КТ8218Г1 | |||
| КТ8219Г | |||
| КТ8219Г1 |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.