Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
КТ8158В | |||
КТ8159А | |||
КТ8159Б | |||
КТ8159В | |||
КТ815А | |||
КТ815Б | в наличии | < 50 шт. | |
КТ815В | в наличии | < 10 шт. | |
КТ815Г | в наличии | < 50 шт. | |
КТ815Г9 | |||
КТ8163А | |||
КТ8164А | |||
КТ8164Б | |||
КТ8167А | |||
КТ816А | |||
КТ816Б | в наличии | < 50 шт. | |
КТ816В | в наличии | > 10 шт. | |
КТ816Г | в наличии | > 100 шт. | |
КТ816Г9 | |||
КТ8170А1 | |||
КТ8170Б1 | |||
КТ8176А | |||
КТ8177Б | |||
КТ817А | |||
КТ817Б | в наличии | > 10 шт. | |
КТ817В | в наличии | < 50 шт. | |
КТ817Г | в наличии | > 10 шт. | |
КТ817Г9 | |||
КТ8182А | в наличии | > 10 шт. | |
КТ8183А1 | |||
КТ818А | |||
КТ818АМ | |||
КТ818Б | |||
КТ818БМ | |||
КТ818В | |||
КТ818ВМ | |||
КТ818Г | |||
КТ818Г1 | |||
КТ818ГМ | |||
КТ819А | |||
КТ819АМ | |||
КТ819Б | |||
КТ819БМ | |||
КТ819В | |||
КТ819ВМ | |||
КТ819Г | в наличии | > 10 шт. | |
КТ819Г1 | |||
КТ819ГМ | |||
КТ820А-1 | |||
КТ820Б-1 | |||
КТ820В-1 |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.