Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КТ853Б | |||
| КТ853В | |||
| КТ853Г | |||
| КТ854А | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ854Б | |||
| КТ855А | |||
| КТ855Б | |||
| КТ857А | |||
| КТ858А | |||
| КТ859А | |||
| КТ859А | |||
| КТ860В | |||
| КТ863А | |||
| КТ863Б | |||
| КТ863В | |||
| КТ863В1 | |||
| КТ864А | |||
| КТ864А | |||
| КТ865А | |||
| КТ867А | |||
| КТ868А | |||
| КТ868Б | |||
| КТ872А | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ872Б | |||
| КТ872Б1 | |||
| КТ872В | |||
| КТ872Г | |||
| КТ872Г1 | |||
| КТ886А | |||
| КТ890А | |||
| КТ892Б2 | |||
| КТ896А | |||
| КТ896Б | |||
| КТ897А | |||
| КТ897Б | |||
| КТ898А | |||
| КТ898А1 | |||
| КТ898Б | |||
| КТ898Б1 | |||
| КТ899А | |||
| КТ899Б | |||
| КТ902А | |||
| КТ902АМ | |||
| КТ903Б | |||
| КТ904А | |||
| КТ904Б | |||
| КТ907А | |||
| КТ907Б | |||
| КТ908А | |||
| КТ908Б |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.