Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КТ835Б | |||
| КТ836А | |||
| КТ837А | в наличии | < 100 шт. | |
| КТ837Б | |||
| КТ837В | |||
| КТ837Г | |||
| КТ837Д | |||
| КТ837Е | |||
| КТ837Ж | |||
| КТ837И | |||
| КТ837К | |||
| КТ837Л | |||
| КТ837М | |||
| КТ837Н | |||
| КТ837Р | |||
| КТ837С | |||
| КТ837Т | |||
| КТ837У | |||
| КТ837Ф | |||
| КТ837Х | |||
| КТ838А | |||
| КТ839А | |||
| КТ840А | |||
| КТ840Б | |||
| КТ841А | |||
| КТ841Б | |||
| КТ841В | |||
| КТ841Д | |||
| КТ841Е | |||
| КТ842А | |||
| КТ842Б | |||
| КТ842В | |||
| КТ844А | |||
| КТ845А | |||
| КТ846А | |||
| КТ846Б | |||
| КТ846В | |||
| КТ847А | |||
| КТ850А | |||
| КТ850А | |||
| КТ850Б | |||
| КТ850В | |||
| КТ851А | |||
| КТ851Б | |||
| КТ851В | |||
| КТ852А | |||
| КТ852Б | |||
| КТ852В | |||
| КТ852Г | |||
| КТ853А |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.