Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КТ8114Б | |||
| КТ8114В | |||
| КТ8115А | в наличии | > 100 шт. | |
| КТ8115Б | |||
| КТ8115В | |||
| КТ8116А | |||
| КТ8116Б | |||
| КТ8116В | |||
| КТ8126А1 | |||
| КТ8126Б1 | |||
| КТ812А | |||
| КТ812Б | |||
| КТ812В | |||
| КТ8130А | |||
| КТ8130Б | |||
| КТ8130В | |||
| КТ8131А | |||
| КТ8131Б | |||
| КТ8131В | |||
| КТ8133А | |||
| КТ8134Б | |||
| КТ8134Д | |||
| КТ8136А | |||
| КТ8140А1 | |||
| КТ8144А | |||
| КТ814А | |||
| КТ814Б | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ814В | |||
| КТ814Г | в наличии | > 100 шт. | |
| КТ814Г9 | |||
| КТ8150А1 | |||
| КТ8154А | |||
| КТ8155А | |||
| КТ8155Б | |||
| КТ8156А | |||
| КТ8156Б | |||
| КТ8158А | |||
| КТ8158Б | |||
| КТ8158В | |||
| КТ8159А | |||
| КТ8159Б | |||
| КТ8159В | |||
| КТ815А | |||
| КТ815Б | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ815В | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ815Г | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ815Г9 | |||
| КТ8163А | |||
| КТ8164А | |||
| КТ8164Б |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.