Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КТ501М | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ502А | в наличии | > 100 шт. | |
| КТ502Б | |||
| КТ502В | |||
| КТ502Г | |||
| КТ502Д | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ502Е | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ503А | |||
| КТ503Б | |||
| КТ503В | |||
| КТ503Г | |||
| КТ503Д | |||
| КТ503Е | в наличии | > 50 шт. | |
| КТ504А | |||
| КТ504Б | |||
| КТ504В | |||
| КТ505А | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ505Б | |||
| КТ506А | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ506Б | в наличии | > 50 шт. | |
| КТ517А | |||
| КТ520А | |||
| КТ520Б | |||
| КТ521А | |||
| КТ521Б | |||
| КТ523А9 | |||
| КТ529А | |||
| КТ530А | |||
| КТ538А | |||
| КТ541А | |||
| КТ542А | |||
| КТ601А | |||
| КТ601АМ | |||
| КТ602АМ | |||
| КТ602Б | |||
| КТ602БМ | |||
| КТ603А | |||
| КТ603Б | |||
| КТ603В | |||
| КТ603Г | |||
| КТ603Д | |||
| КТ603Е | |||
| КТ603И | |||
| КТ604АМ | |||
| КТ604БМ | |||
| КТ605АМ | |||
| КТ605Б | |||
| КТ605БМ | |||
| КТ606А | |||
| КТ606Б |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.