Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КТ209Д | |||
| КТ209Е | |||
| КТ209Ж | |||
| КТ209И | |||
| КТ209К | в наличии | > 100 шт. | |
| КТ209Л | |||
| КТ209М | |||
| КТ214Г-1 | |||
| КТ215Г-1 | |||
| КТ218Е9 | |||
| КТ220Б9 | |||
| КТ301Г | |||
| КТ301Д | |||
| КТ301Е | |||
| КТ301Ж | |||
| КТ306А | |||
| КТ306АМ | |||
| КТ306БМ | |||
| КТ306ВМ | |||
| КТ306Г | |||
| КТ306Д | |||
| КТ3101А-2 | |||
| КТ3101АМ | |||
| КТ3102А | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ3102АМ | |||
| КТ3102Б | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ3102БМ | |||
| КТ3102В | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ3102ВМ | |||
| КТ3102Г | |||
| КТ3102ГМ | |||
| КТ3102Д | |||
| КТ3102ДМ | |||
| КТ3102Е | |||
| КТ3102ЕМ | |||
| КТ3102Ж | |||
| КТ3102ЖМ | |||
| КТ3102И | |||
| КТ3102ИМ | |||
| КТ3102КМ | |||
| КТ3106А-2 | |||
| КТ3107А | |||
| КТ3107Б | в наличии | < 50 шт. | |
| КТ3107В | |||
| КТ3107Г | в наличии | > 50 шт. | |
| КТ3107Д | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ3107Е | в наличии | > 50 шт. | |
| КТ3107Ж | |||
| КТ3107И | в наличии | < 100 шт. | |
| КТ3107К |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.