Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| 198НТ1А | |||
| 198НТ1Б | |||
| 1НТ251 | |||
| 1НТ251А | |||
| 1НТ251А1 | |||
| 1НТ251А2 | |||
| 1Т115Б | |||
| 1Т305Б | |||
| 1Т308А | |||
| 1Т308Б | |||
| 1Т308В | |||
| 1Т3110А-2 | |||
| 1Т311Б | |||
| 1Т311К | |||
| 1Т313А | в наличии | < 10 шт. | |
| 1Т313Б | |||
| 1Т313В | |||
| 1Т320А | |||
| 1Т320Б | |||
| 1Т321А | |||
| 1Т321Д | |||
| 1Т329В | |||
| 1Т335Г | |||
| 1Т362А | |||
| 1Т387А-2 | |||
| 1Т403А | |||
| 1Т403Б | |||
| 1Т403В | |||
| 1Т403Г | |||
| 1Т403Д | |||
| 1Т403И | |||
| 1Т612А-4 | |||
| 1Т806А | |||
| 1Т806Б | |||
| 1Т806В | |||
| 1Т806ВМ | |||
| 1Т813А | |||
| 1Т813Б | |||
| 1Т813В | |||
| 1Т901А | |||
| 1Т901Б | |||
| 1Т905А | |||
| 1Т906А | |||
| 1Т910АД | |||
| 1ТМ115А | |||
| 1ТМ115Г | |||
| 1ТС609А | |||
| 1ТС609Б | |||
| 1ТС609В | |||
| 2T3841 |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.