Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
198НТ1А | |||
198НТ1Б | |||
1НТ251 | |||
1НТ251А | |||
1НТ251А1 | |||
1НТ251А2 | |||
1Т115Б | |||
1Т305Б | |||
1Т308А | |||
1Т308Б | |||
1Т308В | |||
1Т3110А-2 | |||
1Т311Б | |||
1Т311К | |||
1Т313А | в наличии | < 10 шт. | |
1Т313Б | |||
1Т313В | |||
1Т320А | |||
1Т320Б | |||
1Т321А | |||
1Т321Д | |||
1Т329В | |||
1Т335Г | |||
1Т362А | |||
1Т387А-2 | |||
1Т403А | |||
1Т403Б | |||
1Т403В | |||
1Т403Г | |||
1Т403Д | |||
1Т403И | |||
1Т612А-4 | |||
1Т806А | |||
1Т806Б | |||
1Т806В | |||
1Т806ВМ | |||
1Т813А | |||
1Т813Б | |||
1Т813В | |||
1Т901А | |||
1Т901Б | |||
1Т905А | |||
1Т906А | |||
1Т910АД | |||
1ТМ115А | |||
1ТМ115Г | |||
1ТС609А | |||
1ТС609Б | |||
1ТС609В | |||
2SC3355 |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.