Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Год выпуска | Количество | Цена от (руб.)* | |
|---|---|---|---|---|
| 198НТ1А | ||||
| 198НТ1Б | ||||
| 1НТ251 | 1990 | < 10 шт. | ||
| 1НТ251 | 2002 | < 10 шт. | 312 | |
| 1НТ251 | 2012 | < 10 шт. | 538.2 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 224 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 80 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 384 | |
| 1НТ251 | 5 дней | > 10 шт. | 368 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 168 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 168 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 160 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 160 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 160 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 160 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 176 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 176 | |
| 1НТ251 | 5 дней | < 10 шт. | 176 | |
| 1НТ251 | 5 дней | 1980 | < 10 шт. | 160 |
| 1НТ251 | 5 дней | 1981 | < 10 шт. | 160 |
| 1НТ251 | 5 дней | 1982 | < 10 шт. | 160 |
| 1НТ251 | 5 дней | 1987 | < 10 шт. | 176 |
| 1НТ251 | 5 дней | 1990 | > 10 шт. | 192 |
| 1НТ251 | 5 дней | 2008 | < 10 шт. | 336 |
| 1НТ251 | 5 дней | 2010 | > 50 шт. | 352 |
| 1НТ251 | 5 дней | 2011 | < 50 шт. | 280 |
| 1НТ251 | 5 дней | 2012 | < 10 шт. | 360 |
| 1НТ251 | 5 дней | 2013 | < 100 шт. | 368 |
| 1НТ251 | 5 дней | 2014 | > 50 шт. | 392 |
| 1НТ251 | 5 дней | 2015 | > 500 шт. | 392 |
| 1НТ251 | 5 дней | 2017 | > 50 шт. | 416 |
| 1НТ251 | > 500 шт. | 498.8 | ||
| 1НТ251А | 5 дней | < 10 шт. | 432 | |
| 1НТ251А | 5 дней | < 10 шт. | 184 | |
| 1НТ251А | 5 дней | 1981 | < 50 шт. | 160 |
| 1НТ251А | 5 дней | 2000 | < 10 шт. | 120 |
| 1НТ251А | 5 дней | 2002 | > 1000 шт. | 128 |
| 1НТ251А | < 10 шт. | 577.5 | ||
| 1НТ251А1 | ||||
| 1НТ251А2 | 5 дней | 2005 | < 10 шт. | 176 |
| 1НТ251А2 | 5 дней | 2006 | < 50 шт. | 176 |
| 1НТ251А2 | 5 дней | 2008 | < 10 шт. | 192 |
| 1НТ251А2 | 5 дней | 2009 | < 50 шт. | 192 |
| 1НТ251А2 | 5 дней | 2010 | > 50 шт. | 192 |
| 1НТ251А2 | 5 дней | 2011 | < 10 шт. | 208 |
| 1НТ251А2 | 5 дней | 2012 | < 10 шт. | 224 |
| 1НТ251А2 | < 10 шт. | 644 | ||
| 1Т115Б | 20с | > 50 шт. | 5.47 | |
| 1Т115Б | 5 дней | 1981 | < 500 шт. | 8 |
| 1Т115Б | 5 дней | 1983 | < 50 шт. | 8.8 |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.
