Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
2Т687АС-2 | |||
2Т689АС | |||
2Т690АС | |||
2Т691А-2 | |||
2Т704А | |||
2Т704Б | |||
2Т704Б Э | |||
2Т708А | |||
2Т708Б | |||
2Т708В | |||
2Т709А | |||
2Т709А2 | |||
2Т709Б | |||
2Т709В | |||
2Т716А1 | |||
2Т803А | |||
2Т808А | в наличии | < 50 шт. | |
2Т809А | |||
2Т812А | |||
2Т812Б | |||
2Т818А | |||
2Т818Б | |||
2Т818В | |||
2Т819А | |||
2Т819Б | |||
2Т819БМ | |||
2Т819В | |||
2Т825А | |||
2Т825Б | |||
2Т825Б | |||
2Т825В | |||
2Т826А | |||
2Т826Б | |||
2Т826В | |||
2Т827А | |||
2Т827Б | |||
2Т827В | |||
2Т827В Э | |||
2Т828А | |||
2Т828Б | |||
2Т830А | |||
2Т830Б | |||
2Т830В | |||
2Т830В-1 | |||
2Т830Г | |||
2Т830Г-1 | |||
2Т830Г | |||
2Т831А | |||
2Т831Б | |||
2Т831В |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.