Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
2Т603В | |||
2Т603Г | |||
2Т603И | |||
2Т606А | |||
2Т606А | |||
2Т607А-4 | |||
2Т607А-4Н | |||
2Т608А | |||
2Т608Б | |||
2Т610А | |||
2Т610Б | |||
2Т624А-2 | |||
2Т624АМ-2 | |||
2Т625А-2 | |||
2Т625АМ-2 | |||
2Т625АМ-2Н | |||
2Т625БМ-2 | |||
2Т629А-2 | |||
2Т629А-2Н | |||
2Т630А | в наличии | < 10 шт. | |
2Т630Б | в наличии | < 10 шт. | |
2Т632А | |||
2Т633А | |||
2Т633Б | |||
2Т634А-2 | |||
2Т635А | |||
2Т637А-2 | |||
2Т638А | |||
2Т640А-2 | |||
2Т642А-2 | |||
2Т642А-2Н | |||
2Т643А-2 | |||
2Т647А-2 | |||
2Т648А-2 | |||
2Т649А-2 | |||
2Т652А | |||
2Т652А-2 | |||
2Т653А | |||
2Т653Б | |||
2Т657А-2 | |||
2Т663АМ | |||
2Т664А9 | |||
2Т665А9 | |||
2Т665Б9 | |||
2Т669А | |||
2Т669А1 | |||
2Т672А-2 | |||
2Т672А-2Н | |||
2Т679А-2 | |||
2Т682А-2 |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.