Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
2Т301Г | |||
2Т301Д | |||
2Т301Е | в наличии | < 10 шт. | |
2Т301Ж | |||
2Т306А | |||
2Т306Б | |||
2Т306В | |||
2Т307А-1 | |||
2Т307Г | |||
2Т307Г-1 | |||
2Т3101А-2 | |||
2Т3101А-2 | |||
2Т3101А-2Н | |||
2Т3106А-2 | |||
2Т3106А-2Н | |||
2Т3108А | |||
2Т3108Б | |||
2Т3108В | |||
2Т3108В Э | |||
2Т3114А-6 | |||
2Т3114Б-6 | |||
2Т3115А-2 | |||
2Т3115Б-2 | |||
2Т3117А | |||
2Т3120А | |||
2Т3120АМ | |||
2Т3121А-6 | |||
2Т3123А-2 | |||
2Т3123А-6 | |||
2Т3123Б-2 | |||
2Т3123В-2 | |||
2Т3124А-2 | |||
2Т3124Б-2 | |||
2Т3124В-2 | |||
2Т3129А9 | |||
2Т3129Б9 | |||
2Т3129В9 | |||
2Т3129Г9 | |||
2Т3129Д9 | |||
2Т312А | |||
2Т312Б | |||
2Т312В | |||
2Т312Д | |||
2Т3130А9 | |||
2Т3130Б9 | |||
2Т3130В9 | |||
2Т3130Г9 | |||
2Т3130Д9 | |||
2Т3130Е9 | |||
2Т3132А |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.