Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
2SC3608 | |||
2T3841 | |||
2П103А | |||
2П103АР | |||
2П103Б | |||
2П103БР | |||
2П103В | |||
2П103ВР | |||
2П103Г | |||
2П103ГР | |||
2П103Д | |||
2П103ДР | |||
2П201А-1 | |||
2П201Б-1 | |||
2П201Д-1 | |||
2П202Д-1 | |||
2П202Е1 | |||
2П301А | |||
2П301Б | в наличии | < 10 шт. | |
2П301В | |||
2П302А | |||
2П302Б | в наличии | < 10 шт. | |
2П302В | |||
2П303А | |||
2П303Б | |||
2П303В | |||
2П303Г | |||
2П303Д | |||
2П303Е | |||
2П303И | |||
2П305А | |||
2П305А2 | |||
2П305Б | |||
2П305В | |||
2П305Г | |||
2П305Ж | |||
2П306А | |||
2П306Б | |||
2П306В | |||
2П307А | |||
2П307Б | |||
2П307Г | в наличии | < 10 шт. | |
2П308А-1 | |||
2П308А9 | |||
2П308В-1 | |||
2П308Г-1 | |||
2П308Д-1Н | |||
2П312А | |||
2П312Б | |||
2П313А |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.