Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
2Т831В-1 | |||
2Т831Г | |||
2Т831Г-1 | |||
2Т834А | |||
2Т834Б | в наличии | < 10 шт. | |
2Т834В | |||
2Т836А | |||
2Т836Б | |||
2Т836В | |||
2Т837А | |||
2Т837Б | |||
2Т837В | |||
2Т837Г | |||
2Т837Д | |||
2Т837Е | |||
2Т839А | |||
2Т841А | |||
2Т841Б | |||
2Т841Б1 | |||
2Т842А | |||
2Т842Б | |||
2Т844А | |||
2Т845А | |||
2Т847А | |||
2Т848А | |||
2Т856Б | |||
2Т856В | |||
2Т856Г | |||
2Т862Б | |||
2Т862В | |||
2Т862Г | |||
2Т866А | |||
2Т867А | |||
2Т874А | |||
2Т874Б | |||
2Т877А | |||
2Т877Б | |||
2Т879А | |||
2Т879Б | |||
2Т880А | |||
2Т880Б | |||
2Т880Г | |||
2Т880Д | |||
2Т881Б | |||
2Т881В | |||
2Т881Г | |||
2Т881Д | |||
2Т903А | |||
2Т903Б | |||
2Т904А |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.