Отечественные транзисторы
Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
---|---|---|---|
КТ664А9 | |||
КТ664Б9 | |||
КТ665А9 | |||
КТ665Б9 | |||
КТ668А | |||
КТ668В | |||
КТ680А | |||
КТ681А | |||
КТ683А | |||
КТ683Б | |||
КТ683В | |||
КТ683Г | |||
КТ683Д | |||
КТ683Е | |||
КТ685Д | |||
КТ685Ж | |||
КТ698А | |||
КТ704А | |||
КТ704Б | |||
КТ704В | |||
КТ708А | |||
КТ708Б | |||
КТ712А | |||
КТ716А | |||
КТ719А | |||
КТ720А | |||
КТ732А | |||
КТ733А | |||
КТ738А | |||
КТ739А | |||
КТ740А | |||
КТ801А | |||
КТ801Б | |||
КТ802А | |||
КТ803А | в наличии | < 10 шт. | |
КТ805А | |||
КТ805АМ | |||
КТ805БМ | |||
КТ805ВМ | |||
КТ805ДМ | |||
КТ805ИМ | |||
КТ805НМ1 | |||
КТ807А | |||
КТ807Б | |||
КТ808А | в наличии | > 10 шт. | |
КТ808АМ | в наличии | > 50 шт. | |
КТ808БМ | |||
КТ808ВМ | |||
КТ808ГМ | |||
КТ809А |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.