Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| КТ683Д | |||
| КТ683Е | |||
| КТ685Д | |||
| КТ685Ж | |||
| КТ698А | |||
| КТ704А | |||
| КТ704Б | |||
| КТ704В | |||
| КТ708А | |||
| КТ708Б | |||
| КТ712А | |||
| КТ716А | |||
| КТ719А | |||
| КТ720А | |||
| КТ732А | |||
| КТ733А | |||
| КТ738А | |||
| КТ739А | |||
| КТ740А | |||
| КТ801А | |||
| КТ801Б | |||
| КТ802А | |||
| КТ803А | в наличии | < 10 шт. | |
| КТ805А | |||
| КТ805АМ | |||
| КТ805БМ | |||
| КТ805ВМ | |||
| КТ805ДМ | |||
| КТ805ИМ | |||
| КТ805НМ1 | |||
| КТ807А | |||
| КТ807Б | |||
| КТ808А | в наличии | > 10 шт. | |
| КТ808АМ | в наличии | > 50 шт. | |
| КТ808БМ | |||
| КТ808ВМ | |||
| КТ808ГМ | |||
| КТ809А | |||
| КТ8101А | |||
| КТ8101Б | |||
| КТ8102А | |||
| КТ8102Б | |||
| КТ8106А | |||
| КТ8106Б | |||
| КТ8107А | |||
| КТ8107А2 | |||
| КТ8107В2 | |||
| КТ8107Е2 | |||
| КТ8110А | |||
| КТ8110Б |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.