Отечественные транзисторы
| Срок поставки | Количество | Цена, руб* | |
|---|---|---|---|
| МП10А | |||
| МП10Б | |||
| МП11 | |||
| МП113А | |||
| МП114 | |||
| МП115 | |||
| МП116 | |||
| МП13Б | |||
| МП14 | |||
| МП14А | |||
| МП14Б | |||
| МП14И | |||
| МП15 | |||
| МП15А | |||
| МП16 | |||
| МП16А | |||
| МП16Б | |||
| МП20 | |||
| МП20А | |||
| МП20Б | |||
| МП21 | |||
| МП21А | |||
| МП21В | |||
| МП21Г | |||
| МП21Д | |||
| МП21Е | |||
| МП25 | |||
| МП25А | |||
| МП25Б | в наличии | > 10 шт. | |
| МП26 | |||
| МП26А | |||
| МП26Б | |||
| МП35 | |||
| МП36А | |||
| МП37 | |||
| МП37А | |||
| МП37Б | |||
| МП38 | |||
| МП38А | |||
| МП39Б | |||
| МП40 | |||
| МП40А | |||
| МП41 | |||
| МП41А | |||
| МП42 | |||
| МП42А | |||
| МП42Б | |||
| П201АЭ | |||
| П201Э | |||
| П202Э |
Транзисторы отечественные
Транзистор или полупроводниковый триод — радиоэлектронная деталь, изготовленная из полупроводника. В обычном варианте имеет три выхода, позволяя при сигналом на одном контакте управлять электропроводностью между остальными двумя. Чаще всего применяют для преобразования, генерации и усиления электросигналов. Вообще говоря транзистором можно назвать любой «девайс», которое мимикрирует, используя главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Различают полевые и биполярные транзисторы .
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Различают однопереходные (двухбазовые диоды), криогенные (на базе эффекта Джозефсона), многоэмиттерные, баллистические и одномолекулярные транзисторы.
В послевоенном СССР была глобальная задача: создание электронной промышленности практически на ровном месте, причем без иностранной помощи. Программа превращения электронной промышленности Советского союза в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была придумана и разработана министром электронной промышленности СССР А.И. Шокиным.
В 1966 году он прочитал в иностранном электронном журнале сообщение о том, что с Америке был разработан транзистор, технологически приспособленного под массовое производство с конвейерного метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Специализированным НИИ дали задание разработать аналогичное решение, и уже в 1967 году было подготовлено массовое производства транзисторов, а в следующем «в серию» пошли первые устройства на базе КТ315. Так этот транзистор стал первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13.
В результате выполнения этой глобальной программы СССР с конца шестидесятых до начала девяностых вышел на третье место в мире по производству всех электронных деталей (а по некоторым позициям был «впереди планеты всей». Наша страна стала единственной в мире, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, была наша. К началу девяностых общий объем выпуска только серии КТ315 превысил семь миллиардов штук, сотни миллионов шли за кордон, кроме того в разные страны продавались как лицензии на технологию производства, так и комплекты оборудования.